Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMP56D0UFB-7
MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 3-UFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMP56D0UFB
DMP56D0UFB-7 Hakkında
DMP56D0UFB-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 50V drain-source voltajı ve 200mA sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 3-UFDFN yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance (Rds On = 6Ω @ 100mA, 4V) sayesinde verimli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığı ve 425mW maksimum güç tüketimi, mobil cihazlar, güç yönetimi devreleri, batarya koruma sistemleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 0.58nC gate charge ve 50.54pF input capacitance değerleri hızlı komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.58 nC @ 4 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50.54 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-UFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 425mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 100mA, 4V |
| Supplier Device Package | X1-DFN1006-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok