Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMP45H4D9HK3-13

MOSFET P-CH 450V 4.7A TO252

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
DMP45H4D9HK3

DMP45H4D9HK3-13 Hakkında

DMP45H4D9HK3-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen yüksek voltaj P-Channel MOSFET transistörüdür. 450V drain-source voltaj kapasitesi ve 4.7A sürekli drenaj akımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüm voltajında 4.9Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 150°C) ve düşük gate charge (13.7nC @ 10V) özellikleriyle anahtarlama hızını artırır. Endüstriyel uygulamalar, güç yönetimi devreleri ve yüksek voltaj anahtarlama sistemlerinde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 450 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 564 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok