Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMP45H4D9HJ3
MOSFET P-CH 450V 4.6A TO251
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMP45H4D9HJ3
DMP45H4D9HJ3 Hakkında
DMP45H4D9HJ3, Diodes Incorporated tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 450V drain-source gerilim kapasitesi ve 4.6A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-251 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon devreleri, güç denetimi, invertör uygulamaları ve yüksek voltaj güç kaynağı tasarımlarında yer alır. 4.9Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli işletme sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında stabildir. Gate charge 13.7 nC olup hızlı anahtarlama özellikleri destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 450 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 547 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3, IPak, Short Leads |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9Ohm @ 1.05A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok