Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMP31D0UFB4-7B

MOSFET P-CH 30V 540MA 3DFN

Paket/Kılıf
3-XFDFN
Seri / Aile Numarası
DMP31D0UFB4

DMP31D0UFB4-7B Hakkında

DMP31D0UFB4-7B, Diodes Incorporated tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 540mA sürekli drenaj akımı kapasitesi ile kompakt uygulamalar için tasarlanmıştır. 3-XFDFN (X2-DFN1006-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 4.5V gate geriliminde 1Ω RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilen DMP31D0UFB4-7B, güç yönetimi, AC-DC konvertörleri, pil şarj devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. 460mW maksimum güç tüketimi ve düşük gate charge (0.9nC) ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 540mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 76 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 3-XFDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 460mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 400mA, 4.5V
Supplier Device Package X2-DFN1006-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok