Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMP3165L-13

MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23 T&R

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DMP3165L

DMP3165L-13 Hakkında

DMP3165L-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 3.3A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 90mOhm maksimum on-resistance değeri ile verimli anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük güç uygulamalarında ve anahtarlama devreleri tasarımında kullanılır. ±20V gate-source gerilim toleransı ve geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde mobil cihazlar, güç yönetimi, LED sürücüleri ve genel sinyal anahtarlaması gibi uygulamalarda tercih edilir. 2nC gate charge değeri hızlı anahtarlama davranışı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.7A, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok