Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMP21D6UFB4-7B
MOSFET P-CH 20V 580MA 3DFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMP21D6UFB4
DMP21D6UFB4-7B Hakkında
DMP21D6UFB4-7B, Diodes Incorporated tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 580mA sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 4.5V gate geriliminde maksimum 1Ω RDS(on) değerine sahiptir. 3-XFDFN (X2-DFN1006-3) kompakt yüzey montajlı paketinde sunulur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 510mW güç harcaması yapabilir. Düşük gate yükü (0.8nC @ 8V) ve düşük input kapasitansı (46.1pF @ 10V) ile hızlı komütasyon özellikleri sağlar. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve düşük güçlü kontrol sistemlerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 580mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.8 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 46.1 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 510mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 100mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | X2-DFN1006-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok