Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMP2069UFY4-7
MOSFET P-CH 20V 2.5A DFN2015H4-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMP2069UFY4
DMP2069UFY4-7 Hakkında
DMP2069UFY4-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ile 2.5A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 54mOhm RDS(on) direnci (4.5V Vgs'te) sayesinde düşük güç kaybı sağlar. Surface Mount DFN2015H4-3 paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, anahtarlama devreleri, batarya yönetim sistemleri, inverter kontrol ve motor sürücü uygulamalarında kullanılır. 9.1nC gate charge ve 214pF input capacitance ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.1 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 214 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 530mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 54mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | DFN2015H4-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok