Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMP2006UFGQ-7
MOSFET P-CH 20V PWRDI3333
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMP2006UFGQ
DMP2006UFGQ-7 Hakkında
DMP2006UFGQ-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source voltaj derecelendirmesi ve PowerDI3333 8-pin yüzey montajlı paketinde sunulur. 40A sürekli dren akımı (Tc'de) ve 5.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 17.5A (Ta'da) ve 41W güç saçma kapasitesi ile pil yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, yük anahtarları ve güç dağıtım sistemlerinde yer bulur. -55°C ile 150°C arasında çalışan bileşen, 1V gate eşik voltajı ve düşük ön kapasitans değeriyle hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17.5A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7500 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.3W (Ta), 41W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 15A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerDI3333-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok