Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMP2006UFGQ-13

MOSFET P-CH 20V PWRDI3333

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
DMP2006UFGQ

DMP2006UFGQ-13 Hakkında

DMP2006UFGQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 17.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında switch görevi görmektedir. 5.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. PowerDI3333-8 SMD paketinde sunulan bu bileşen, boost konvertörleri, load switches, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans sunar ve düşük gate charge gereksinimi ile hızlı anahtarlama imkanı tanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17.5A (Ta), 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7500 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 15A, 4.5V
Supplier Device Package PowerDI3333-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok