Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMP10H4D2S-7
MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMP10H4D2S
DMP10H4D2S-7 Hakkında
DMP10H4D2S-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilimi, 270mA sürekli drenaj akımı ve SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulur. 10V gate geriliminde 4.2Ω maksimum RDS(on) değerine sahip olup, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları, düşük güçlü motor kontrol ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılan kompakt ve güvenilir bir çözümdür. 380mW maksimum güç tüketimi ile düşük güç uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 270mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 87 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 380mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok