Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMP10H4D2S-13
MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMP10H4D2S
DMP10H4D2S-13 Hakkında
DMP10H4D2S-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen P-Channel MOSFET'tir. 100V drain-source gerilimi ve 270mA sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu transistör, SOT-23-3 yüzey monte paketinde sunulmaktadır. 4.2Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 380mW maksimum güç hızı kaldırabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve genel sinyal kontrolü devreleri için kullanılır. ±20V gate voltaj aralığında çalışır ve 1.8nC gate charge ile hızlı anahtarlama sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 270mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 87 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 380mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok