Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMP1081UCB4-7
MOSFET P-CH 12V 3A U-WLB1010-4
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 49-WFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMP1081UCB4
DMP1081UCB4-7 Hakkında
DMP1081UCB4-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 3A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 0.9V gate sürüş voltajında 10Ohm maksimum Rds(on) değerine sahiptir. U-WLB1010-4 yüzey monte paketinde sunulan bu transistör, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olup, 820mW maksimum güç ürünü özelliği ile hafif yükler için uygundur. Mobil cihazlar, enerji yönetimi ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta), 3.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0.9V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-UFBGA, WLBGA |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 820mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 100mA, 0.9V |
| Supplier Device Package | U-WLB1010-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | -6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 650mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok