Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMP1022UFDE-7
MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 6-PowerUDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMP1022UFDE
DMP1022UFDE-7 Hakkında
DMP1022UFDE-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 12V drain-source gerilimi, 9.1A sürekli drenaj akımı ve 16mΩ maksimum on-resistance değerleri ile düşük güç kaybı sağlar. 6-PowerUDFN yüzey montajlı paket içinde 660mW maksimum güç dağılımı kapasitesi sunar. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışmaya uygundur. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devrelerine ve portabl elektronik cihazlarda kullanılır. 42.6nC gate charge ve 2953pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42.6 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2953 pF @ 4 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-PowerUDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 660mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 8.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | U-DFN2020-6 (Type E) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok