Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMP1018UCB9-7

MOSFET P-CH 12V 7.6A U-WLB1515-9

Paket/Kılıf
9-UFBGA
Seri / Aile Numarası
DMP1018UCB9

DMP1018UCB9-7 Hakkında

DMP1018UCB9-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 12V drain-source voltaj ve 7.6A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 18mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. U-WLB1515-9 BGA paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, anahtarlama devreleri, batarya yönetim sistemleri ve düşük güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Surface mount teknolojisi ile PCB'ye doğrudan monte edilir. 4.9nC gate charge ve 457pF input capacitance değerleriyle hızlı komütasyon performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 457 pF @ 6 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 9-UFBGA, WLBGA
Part Status Last Time Buy
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 2A, 4.5V
Supplier Device Package U-WLB1515-9
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) -6V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok