Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMP1012UFDF-13

MOSFET P-CH 12V 12.6A/20A 6UDFN

Paket/Kılıf
6-UDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
DMP1012UFDF

DMP1012UFDF-13 Hakkında

DMP1012UFDF-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source voltajı ve 12.6A (Ta) / 20A (Tc) sürekli akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. 6-UDFN yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 4.5V gate voltajında 15mOhm maksimum RDS(on) direncine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve maksimum 720mW güç tüketebilir. 31nC gate charge ve 1344pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, yük kontrol devreleri ve portable cihazlar gibi düşük voltaj anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12.6A (Ta), 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1344 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-UDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 720mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 5A, 4.5V
Supplier Device Package U-DFN2020-6 (Type F)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok