Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMP1012UCB9-7

MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9

Paket/Kılıf
9-UFBGA
Seri / Aile Numarası
DMP1012UCB9

DMP1012UCB9-7 Hakkında

DMP1012UCB9-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 8V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ile 10A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, 10mΩ maksimum açık durum direnci (RDS On) ile düşük güç kaybı sunar. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. U-WLB1515-9 yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, 2.5V ve 4.5V sürüş gerilimlerinde optimize edilmiştir. Düşük gate yükü (10.5nC) ve düşük giriş kapasitansi (1060pF) özelliği hızlı anahtarlama uygulamalarına uygunluğunu gösterir. Güç yönetimi, inverter devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 8 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1060 pF @ 4 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 9-UFBGA, WLBGA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 890mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 2A, 4.5V
Supplier Device Package U-WLB1515-9
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) -6V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok