Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMP1011UCB9-7
MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 9-UFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMP1011UCB9
DMP1011UCB9-7 Hakkında
DMP1011UCB9-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 8V drain-source gerilimi ve 10A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu komponent, mobil cihazlar, güç yönetimi devreleri, batarya şarj sistemleri ve portable elektronik ürünlerde voltage regülasyon ve load switching uygulamalarında tercih edilir. U-WLB1515-9 BGA paketinde sunulan bu transistör, space-constrained tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1060 pF @ 4 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 9-UFBGA, WLBGA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 890mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | U-WLB1515-9 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | -6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok