Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMP1009UFDFQ-7

MOSFET P-CH 12V 11A 6UDFN

Paket/Kılıf
6-UDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
DMP1009UFDFQ

DMP1009UFDFQ-7 Hakkında

DMP1009UFDFQ-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 12V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 6-UDFN SMD paketinde sunulan bu bileşen, 4.5V gate geriliminde 11mΩ tipik On-State direncine sahiptir. Anahtarlama devrelerinde, güç dağıtım sistemlerinde ve yük kontrolü uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Düşük gate kapasitansı (1860pF) sayesinde hızlı anahtarlamaya olanak tanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1860 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-UDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 5A, 4.5V
Supplier Device Package U-DFN2020-6 (Type F)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok