Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMNH6012SPSQ-13
MOSFET N-CH 60V 50A PWRDI5060-8
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMNH6012SPSQ
DMNH6012SPSQ-13 Hakkında
DMNH6012SPSQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 50A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 11mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface mount PowerDI5060-8 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında, motor kontrolünde ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1926 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerDI5060-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok