Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMNH6011LK3Q-13

MOSFET N-CH 55V 80A TO252 T&R

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
DMNH6011LK3Q

DMNH6011LK3Q-13 Hakkında

DMNH6011LK3Q-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 55V drain-source gerilim değeri ve 80A maksimum drain akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılabilir. TO-252 (D-Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 12mOhm (10V, 25A) on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışabilen transistör, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak kullanılır. Düşük gate charge değeri (49.1nC @ 10V) sayesinde hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3077 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok