Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMNH6008SPSQ-13
MOSFET N-CH 60V 16.5A PWRDI5060
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMNH6008
DMNH6008SPSQ-13 Hakkında
DMNH6008SPSQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V Vdss, 16.5A sürekli dren akımı ve 8mΩ RDS(on) değerleri ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. PowerDI5060-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, motorlu kontrol sistemlerinde ve elektrik yönetimi uygulamalarında yer alır. -55°C ile 175°C arası geniş çalışma sıcaklık aralığında ve 1.6W güç saçılımında çalışır. 40.1nC kapı yükü ve düşük gate eşik voltajı (4V @250µA) ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.5A (Ta), 88A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2597 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerDI5060-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok