Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMNH6008SCTQ

MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
DMNH6008S

DMNH6008SCTQ Hakkında

DMNH6008SCTQ, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 130A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılan bir yarı iletken elementidir. 8mΩ düşük on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve yüksek akım anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. 10V gate drive voltajında çalışır, -55°C ile 175°C arasında sıcaklık aralığında operasyon kapasitesine sahiptir. 210W maksimum güç dağıtımı ile ısıl yönetim tasarımlarında dikkate alınması gereken bir parametredir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 130A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2596 pF @ 30 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok