Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMNH10H028SPSQ-13
MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMNH10H028SPSQ
DMNH10H028SPSQ-13 Hakkında
DMNH10H028SPSQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Vdss ile 40A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 28mOhm @ 20A, 10V on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Surface Mount paketleme ile PCB entegrasyonunu kolaylaştıran 8-PowerTDFN (PowerDI5060-8) kasa tipinde sunulmaktadır. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Endüstriyel güç dönüştürme uygulamaları, motor kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları (SMPS), solenoid kontrol ve yüksek akım switch uygulamalarında kullanılır. Aktif üretim statüsünde olan bu bileşen, hassas gate kontrol ve hızlı anahtarlama karakteristiği gerektiren tasarımlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2245 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerDI5060-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok