Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMNH10H028SK3Q-13
MOSFET N-CH 100V 55A TO252
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMNH10H028SK3Q
DMNH10H028SK3Q-13 Hakkında
DMNH10H028SK3Q-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 55A sürekli drenaj akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 28mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük açılış direnci sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, DC-DC konvertörler ve motor kontrolü gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. ±20V gate voltaj kapasitesi ve 36nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 55A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2245 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok