Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMNH10H028SK3-13
MOSFET N-CH 100V 55A TO252
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMNH10H028SK3
DMNH10H028SK3-13 Hakkında
DMNH10H028SK3-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-252 (DPak) kasa tipinde sunulan bu bileşen, 100V Drain-Source gerilimi ve 55A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 28mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahip olup, anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına dayanır. DC/DC konverterler, motor sürücüleri ve güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 10V gate sürücü gerilimi ile standart CMOS/TTL lojik devrelerle uyumlu çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 55A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2245 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok