Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMNH10H028SCT
MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMNH10H028SCT
DMNH10H028SCT Hakkında
DMNH10H028SCT, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilimi ve 60A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş geriliminde 28mΩ maksimum RDS(on) değerine sahip olup, düşük iletim kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve benzer yüksek akım gerektiren anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31.9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1942 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok