Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMN95H8D5HCTI

MOSFET N-CHANNEL 950V ITO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
DMN95H8D5H

DMN95H8D5HCTI Hakkında

DMN95H8D5HCTI, Diodes Incorporated tarafından üretilen 950V N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. 2.5A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olan transistör, 7Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge değeri 7.9nC olup hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen DMN95H8D5HCTI, endüstriyel güç dönüştürücüler, LED sürücüler, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 30W maksimum güç tüketimine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 950 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 470 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package ITO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok