Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMN95H2D2HCTI

MOSFET N-CH 950V 6A ITO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
DMN95H2D2

DMN95H2D2HCTI Hakkında

DMN95H2D2HCTI, Diodes Incorporated tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. 950V drain-source voltaj (Vdss) ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 6A sürekli drain akımı (Id @ 25°C) kapasitesi ve 2.2Ω maksimum on-dirençi (Rds On @ 3A, 10V) ile verimli anahtarlama sağlar. TO-220-3 ITO220AB paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışır ve 40W güç dağılımı yapabilir. SMPS (Switched Mode Power Supply), güç kaynakları, motor kontrolü ve yüksek voltaj dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. 20.3nC gate charge ve 1487pF input kapasitansı hızlı ve kontrollü anahtarlama işlemi gerçekleştirir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 950 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1487 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 3A, 10V
Supplier Device Package ITO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok