Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMN90H8D5HCTI

MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
DMN90H8D5H

DMN90H8D5HCTI Hakkında

DMN90H8D5HCTI, Diodes Incorporated tarafından üretilen 900V N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde gelen bu bileşen, yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmıştır. 2.5A sürekli drenaj akımı ile güç kaynakları, dönüştürücüler, aydınlatma devreleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında kullanılır. 7Ohm maksimum Ron değeri ile düşük güç tüketimi sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. ±30V gate voltaj kapasitesi ve 5V threshold voltajı ile standart kontrol devrelerinden sürülebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 470 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package ITO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok