Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN90H8D5HCT
MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN90H8D5
DMN90H8D5HCT Hakkında
DMN90H8D5HCT, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 900V drain-source gerilimi ve 2.5A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 7Ω (1A, 10V) maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge 7.9nC olup, hızlı anahtarlama özellikleri vardır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 125W güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Anahtarlama güç kaynakları, AC/DC konvertörleri, endüstriyel kontrol devreleri ve yüksek gerilim uygulamalarında kullanım alanı bulur. ±30V gate gerilimi toleransı ile geniş uygulama yelpazesi desteklenir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 470 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok