Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMN90H2D2HCTI

MOSFET N-CH 900V 6A ITO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
DMN90H2D2

DMN90H2D2HCTI Hakkında

DMN90H2D2HCTI, Diodes Incorporated tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. 900V drain-source voltaj kapasitesi ile endüstriyel güç yönetimi uygulamalarında kullanılmaktadır. 6A sürekli drain akımı ve 2.2Ω maksimum RDS(on) değerleri ile verimli anahtarlama gerçekleştirir. TO-220-3 paketinde izole sekme tasarımı ile soğutma malzemesi bağlantısına imkan tanır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans sunar. Sürücü devreleri, invertörler, güç kaynakları ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1487 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 3A, 10V
Supplier Device Package ITO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok