Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN80H2D0SCTI
MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN80H2D0SCTI
DMN80H2D0SCTI Hakkında
DMN80H2D0SCTI, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ve 7A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 2Ω maksimum on-direnç (Rds On) ile enerji kaybını minimize eder. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüleri, LED aydınlatma kontrolü ve endüstriyel elektrik sistemlerinde yer alır. ±30V maksimum gate-source gerilimi ve -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığı ile geniş uygulama yelpazesini destekler. 41W maksimum güç tüketimi ve 35.4nC gate yükü karakteristikleri ile hızlı anahtarlama işlemleri sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1253 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 41W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | ITO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok