Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMN67D8L-7

MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DMN67D8L

DMN67D8L-7 Hakkında

DMN67D8L-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 210mA sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. SOT-23-3 paketinde sunulan bu bileşen, 5Ohm maksimum Rds(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Gate threshold voltajı 2.5V olup, ±30V maksimum gate-source gerilimi toleransındadır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve genel amaçlı dijital lojik uygulamalarında kullanım için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 210mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 22 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 340mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok