Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMN65D9L-7

MOSFET N-CH 60V 335MA SOT23

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DMN65D9L

DMN65D9L-7 Hakkında

DMN65D9L-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilim ve 335mA sürekli dren akımı kapasitesine sahip olup, SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 4Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. ±16V gate gerilimi aralığında çalışır ve -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında güvenilir performans gösterir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve genel amaçlı lojik kontrol uygulamalarında kullanılır. Düşük gate şarjı (0.4nC) hızlı anahtarlama işlemleri için uygun olup, 270mW maksimum güç dağılımı ile enerji verimli tasarımlar destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 335mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 41 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 270mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok