Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN65D8LQ-13
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN65D8LQ
DMN65D8LQ-13 Hakkında
DMN65D8LQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V Drain-Source gerilim (Vdss) ve 310mA sürekli dren akımı (Id) ile tasarlanmıştır. 3Ω maksimum Rds(On) değeri (10V Vgs'te) düşük kayıp uygulamaları destekler. 0.87nC düşük Gate Charge ve 22pF giriş kapasitansı ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu bileşen, küçük boyutlu SOT-23 paketinde sunulur. DC-DC dönüştürücüler, anahtarlamalı güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 310mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.87 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 22 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 370mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 115mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok