Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN65D8LFB-7B
MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 3-UFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN65D8LFB
DMN65D8LFB-7B Hakkında
DMN65D8LFB-7B, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim (Vdss) ve 260mA sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 3Ω maksimum on-direnci (Rds On) ile anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. 5V ve 10V drive gerilimlerinde çalışabilir. -55°C ile 150°C arasında işletme sıcaklığına ve ±20V gate-source gerilim toleransına sahiptir. 25pF input kapasitanası hızlı anahtarlama performansı sunar. Surface mount 3-UFDFN paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, DC-DC konvertörler, güç yönetimi devrelerinde ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 260mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 25 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-UFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 430mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 115mA, 10V |
| Supplier Device Package | X1-DFN1006-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok