Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN65D8L-7
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN65D8L
DMN65D8L-7 Hakkında
DMN65D8L-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 310mA sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerinde kullanılır. 3Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli enerji transferi sağlar. SOT-23 yüzey montaj paketi sayesinde kompakt tasarımlara uygun olup, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Mobil cihazlar, güç yönetimi devreleri, LED kontrolü ve düşük voltaj uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 310mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.87 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 22 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 370mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 115mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok