Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMN63D8L-7

MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DMN63D8L

DMN63D8L-7 Hakkında

DMN63D8L-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 350mA sürekli drenaj akımı ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerini yerine getirir. 2.8Ω maksimum Rds(On) değeri ile verimli güç transferi sağlar. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, -55°C ile 150°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında çalışabilir. Düşük gate charge (0.9nC) ve düşük input kapasitans (23.2pF) özellikleri hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Tüketici elektroniği, güç yönetimi, LED sürücüler ve portable cihazlar gibi alanlarda yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 350mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 23.2 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok