Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN63D8L-13
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN63D8L
DMN63D8L-13 Hakkında
DMN63D8L-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilim, 350mA sürekli drain akımı ve 2.8Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. SOT-23-3 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, düşük akım uygulamaları ve sinyal kontrolü gibi alanlarda yaygın olarak yer alır. ±20V gate gerilim aralığında çalışan, geniş sıcaklık desteği (-55°C ~ 150°C) ile gömülü sistem, tüketici elektroniği ve endüstriyel uygulamalarında tercih edilen bir kontrol transistörüdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 350mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 23.2 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 350mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8Ohm @ 250mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok