Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMN63D1L-7

MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DMN63D1L

DMN63D1L-7 Hakkında

DMN63D1L-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source voltaj kapasitesi ve 380mA sürekli drenaj akımı ile çalışır. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük güç tüketimi ve kompakt boyutuyla gömülü sistemlerde, güç yönetimi devrelerinde ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli işletme sağlar. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Gate eşik voltajı 2.5V olup, ±20V maksimum gate voltajını tolere eder. Düşük gate yükü (0.3nC) hızlı anahtarlama imkanı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 380mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 30 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 370mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok