Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN63D1L-13
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN63D1L
DMN63D1L-13 Hakkında
DMN63D1L-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim ve 380mA sürekli drain akımı kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulur. Maksimum 2Ω RDS(on) değeri ile 10V gate geriliminde etkili iletim sağlar. -55°C ile 150°C arası geniş çalışma sıcaklık aralığında, düşük gate yükü (0.3nC) ve küçük input kapasitansı (30pF) özelliğiyle mobil, IoT, endüstriyel kontrol ve DC-DC dönüştürücü gibi alçak güç anahtarlama devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 380mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.3 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 30 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 370mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok