Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN62D1LFDQ-13
MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN T&R 1
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN62D1LFD
DMN62D1LFDQ-13 Hakkında
DMN62D1LFDQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 400mA sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 3-XDFN (U-DFN1212-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 4V gate geriliminde 2Ohm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen, 500mW güç dağılımına kadir transistör, düşük gate şarjı (0.55nC) ve düşük giriş kapasitansi (36pF) özellikleriyle anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve PWM kontrollerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 400mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.55 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 36 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 100mA, 4V |
| Supplier Device Package | U-DFN1212-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok