Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN62D0LFB-7
MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 3-UFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN62D0LFB
DMN62D0LFB-7 Hakkında
DMN62D0LFB-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilimi ve 100mA sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 2Ohm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 3-UFDFN yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışan transistör, 470mW güç tüketim kapasitesiyle endüstriyel, otomotiv ve tüketici elektroniği devrelerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.45 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 32 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-UFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 470mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 100mA, 4V |
| Supplier Device Package | X1-DFN1006-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok