Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN61D9U-13
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN61D9U
DMN61D9U-13 Hakkında
DMN61D9U-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim, 380mA sürekli drenaj akımı ve 2Ohm RDS(on) değerleri ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. SOT-23-3 yüzey montajlı pakette sunulan bu komponent, GPIO kontrollü yükseltici devreler, güç yönetimi modülleri ve dijital lojik devrelerde anahtarlama görevini yerine getirir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 370mW güç dağıtabilir. Düşük gate charge (0.4nC) ve düşük input kapasitansi (28.5pF) hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun özellikleridir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 380mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.4 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 28.5 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 370mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 50mA, 5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok