Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN61D8LQ-7
MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN61D8LQ
DMN61D8LQ-7 Hakkında
DMN61D8LQ-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi (Vdss) ve 470mA sürekli dren akımı (Id) ile tasarlanmıştır. TO-236-3 (SOT-23) yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 5V kapı sürü geriliminde 1.8Ω maksimum RDS(On) direncine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve maksimum 390mW güç tüketebilir. 0.74nC gate charge ve 12.9pF input capacitance özellikleriyle anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Düşük güçlü anahtarlama devreleri, motor kontrol, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 470mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 3V, 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.74 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12.9 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 390mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 150mA, 5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok