Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN61D8L-7
MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN61D8L
DMN61D8L-7 Hakkında
DMN61D8L-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilim ve 470mA sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 5V gate voltajında 1.8Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. 3V-5V drive voltajı ile kontrol edilebilen bu bileşen, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 390mW maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. SO-23 yüzey montajlı paket ile kompakt devre tasarımlarına uygundur. Lojik seviye uyumlu giriş voltajları sayesinde mikrodenetleyici ve entegre devre çıkışlarından doğrudan sürülebilir. Düşük gate kapasitansi ve hızlı anahtarlama özelliği ile motor kontrol, LED sürücü ve güç yönetimi devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 470mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 3V, 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.74 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12.9 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 390mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 150mA, 5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok