Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMN61D8L-13

MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DMN61D8L

DMN61D8L-13 Hakkında

DMN61D8L-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 470mA sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1.8Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. SOT-23-3 paketlemesi ile kompakt devre tasarımlarında kullanılır. Inverter devreleri, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol ve genel dijital lojik uygulamalarında tercih edilir. ±12V maksimum gate gerilimi ve 2V eşik gerilimi ile standart CMOS/TTL sürücüleri ile uyumludur. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 470mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 12.9 pF @ 12 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 390mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok