Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN6140LQ-7
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN6140LQ
DMN6140LQ-7 Hakkında
DMN6140LQ-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 1.6A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 140mΩ (10V, 1.8A'da) ile karakterize edilen düşük on-resistance değeri, anahtarlama uygulamalarında enerji kayıplarını minimize eder. SOT-23-3 (TO-236) paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 700mW güç tüketebilir. Gate charge değeri 8.6nC olup hızlı komütasyon gerektiren devre tasarımlarında tercih edilir. Güç yönetimi, yük anahtarlaması ve motor kontrol gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 315 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 1.8A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok