Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN60H4D5SK3-13
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN60H4D5SK3
DMN60H4D5SK3-13 Hakkında
DMN60H4D5SK3-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET'tir. 2.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, 4.5Ω maksimum On-direnç (Rds On) değeri ile verimli iletim sağlar. ±30V Vgs (Gate-Source) gerilim aralığında çalışır ve -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Düşük gate charge karakteristiği (8.2nC) sayesinde hızlı anahtarlama işlemlerine uygun olup, endüstriyel kontrolcüler, inverterler, motor sürücüleri ve AC/DC konvertörler gibi uygulamalarda tercih edilir. Surface mount montaj türü ile elektronik kartlara doğrudan entegrasyon yapılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 273.5 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 41W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok