Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN60H080DS-7
MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN60H080DS
DMN60H080DS-7 Hakkında
DMN60H080DS-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılabilir. 80mA sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç tüketimli devrelerde tercih edilir. SOT-23-3 (SC-59) paketine sahip bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve anahtarlanmış güç kaynakları (SMPS) tasarımlarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 1.7nC gate charge ve 100Ohm Rds(On) ile verimli komütasyon sağlar. -55°C ile 150°C arası geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 25 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100Ohm @ 60mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok